IRFR/U9120N
Package Outline
TO-251AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
6.73 (.265)
6.35 (.250)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
-A-
1.27 (.050)
0.88 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LE A D A S S IG N M E N T S
4
6.45 (.245)
5.68 (.224)
1 - GATE
2 - D R A IN
3 - SOURCE
1.52 (.060)
1.15 (.045)
6.22 (.245)
5.97 (.235)
4 - D R A IN
-B-
1
2
3
N O TE S :
1 D IM E N S IO N IN G & TO LE R A N C IN G P E R A N S I Y 14.5M , 1982.
2.28 (.090)
1.91 (.075)
9.65 (.380)
8.89 (.350)
2 C O N T R O LLIN G D IM E N S IO N : IN C H .
3 C O N F O R M S TO J E D E C O U T LIN E T O -252A A .
4 D IM E N S IO N S S H O W N A R E B E F O R E S O LD E R D IP ,
S O LD E R D IP M A X. +0.16 (.006).
3X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
2.28 (.090)
2X
0.25 (.010)
M A M B
0.58 (.023)
0.46 (.018)
Part Marking Information
TO-251AA (I-Pak)
E X A M P L E : T H IS IS A N IR F U 1 2 0
W IT H A S S E M B L Y
LO T CODE 9U1P
IN T E R N A T IO N A L
R E C T IF IE R
LO GO
IR F U
120
F IR S T P O R T IO N
OF PART NUMBER
ASSEMBLY
LOT CODE
9U
1P
S E C O N D P O R T IO N
OF PART NUMBER
相关PDF资料
IRFS11N50ATRR MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
IRFS17N20DTRLP MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
IRFS3507TRLPBF MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
IRFS450B MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF
IRFSL23N15D MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
IRFSL23N20D MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
IRFSL33N15DTRRP MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3
IRFSL33N15D MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
相关代理商/技术参数
IRFR9120NTRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFR9120PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120T_R4941 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120TR 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120TRL 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120TRLPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120TRPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120TRR 功能描述:MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件